Polski
English
Celem głównym Programu jest rozwój wiedzy w obszarach Programu, prowadzący do transferu do otoczenia społeczno -gospodarczego innowacyjnych rozwiązań opracowanych w ramach Programu oraz wzrostu międzynarodowej pozycji Polski w badaniach naukowych i pracach rozwojowych w tej dziedzinie.
Program ma za zadanie stymulować wzrost innowacyjności i konkurencyjności polskiej gospodarki. Wynikiem realizowanych w ramach programu projektów jest opracowanie i przygotowanie wdrożenia nowych produktów, technik i technologii oraz całej gamy innych rozwiązań mających zastosowanie w dziedzinach objętych zakresem tematycznym programu.
Zakładany całkowity budżet Programu, w ramach którego są finansowane projekty obejmujące badania naukowe, prace rozwojowe oraz działania związane z przygotowaniem do wdrożenia, wynosi około 500 milionów złotych
Technologie układów fotoniki scalonej na zakres średniej podczerwieni (MIRPIC)
- Nr umowy:
- Czas realizacji:
- Koszty całkowite, PLN:
- Koszty kwalifikowane, PLN
- Wysokość dofinansowania projektu, PLN:
- Wysokość dofinansowania (VIGO), PLN:
- Skład konsorcjum:
- TECHMATSTRATEG-III/0026/2019-00
- 1/04/2021-31/05/2025
- 29 255 381,61
- 29 255 381,61
- 26,564,942.41
- 6 801 378,67
- Lider: VIGO Photonics S.A. (do 22 sierpnia 2022 r. – VIGO Photonics S.A.) Partner: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Politechnika Warszawska
- Nr umowy: TECHMATSTRATEG-III/0026/2019-00
- Czas realizacji: 1/04/2021-31/05/2025
- Koszty całkowite, PLN: 29 255 381,61
- Koszty kwalifikowane, PLN 29 255 381,61
- Wysokość dofinansowania projektu, PLN: 26,564,942.41
- Wysokość dofinansowania (VIGO), PLN: 6 801 378,67
- Skład konsorcjum: Lider: VIGO Photonics S.A. (do 22 sierpnia 2022 r. – VIGO Photonics S.A.) Partner: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Politechnika Warszawska
Wynikiem projektu będzie innowacja produktowa w postaci specjalizowanych układów fotoniki scalonej (ASPIC) przeznaczonych do pracy w zakresie średniej podczerwieni, MidIR (3-5,5 μm). W szczególności zaprojektowane, wytworzone i przetestowane zostaną poszczególne bloki funkcjonalne (building blocks) niezbędne do definiowania układów ASPIC, co pozwoli na zaprojektowanie, wytworzenie i zbadanie parametrów demonstratora układu ASPIC. Demonstrator będzie odzwierciedlał typowe cechy charakterystyczne dla układów fotoniki scalonej, tj. wielokanałowość, integracja na wspólnym podłożu, interfejsy elektroniczne i optyczne oraz packaging.
Projekt współfinansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach programu TECHMATSTRATEG
Technologie materiałów i struktur dla detekcji długofalowego promieniowania podczerwonego (LWIR): transfer
- Nr umowy:
- Czas realizacji:
- Koszty całkowite:
- Koszty kwalifikowalne:
- Dofinansowanie:
- Koordynator:
- Partnerzy:
- TECHMATSTRATEG1/347751/5/NCBR/2017
- 01/01/2018-31/12/2020
- 6,675,156.00 PLN
- 6,675,156.00 PLN
- 6,086,511.00 PLN
- Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
- Wojskowa Akademia Techniczna, Politechnika Rzeszowska, VIGO Photonics S.A.
- Nr umowy: TECHMATSTRATEG1/347751/5/NCBR/2017
- Czas realizacji: 01/01/2018-31/12/2020
- Koszty całkowite: 6,675,156.00 PLN
- Koszty kwalifikowalne: 6,675,156.00 PLN
- Dofinansowanie: 6,086,511.00 PLN
- Koordynator: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
- Partnerzy: Wojskowa Akademia Techniczna, Politechnika Rzeszowska, VIGO Photonics S.A.
Celem projektu było opracowanie technologii materiałów i struktur przeznaczonych do detekcji długofalowego promieniowania podczerwonego (8-14 μm) w podwyższonych temperaturach (>200 K). Podany zakres spektralny jest ważny z punktu widzenia wielu zastosowań, w tym wojskowych (obrazowanie, detekcja śladowych ilości gazów bojowych), cywilnych, medycznych, przemysłowych (kontrola i diagnostyka), kosmicznych (obserwacja Ziemi z kosmosu, detekcja śladowych ilości substancji) czy środowiskowych (monitorowanie emisji gazów cieplarnianych).
Przedmiotem projektu były półprzewodnikowe supersieci II-go rodzaju na bazie związków antymonu grupy III układu okresowego. Materiał ten jest uznawany za następcę tellurku kadmowo-rtęciowego (HgCdTe), który jest obecnie powszechnie stosowany w przyrządach do wykrywania podczerwieni.
Zastosowanie przyrządów na bazie supersieci II-go rodzaju pozwoliło na produkcję bardziej niezawodnych, tańszych, lżejszych oraz energooszczędnych urządzeń. Technologia antymonkowych supersieci umożliwia znaczącą swobodę w projektowaniu materiałów i struktur, jednakże ze względu na duży stopień skomplikowania wymaga dużej precyzji oraz kontroli. Z tego powodu, pomimo ogromnego postępu w tej dziedzinie w ostatnich kilku latach nie udało wyprodukować przyrządów, które pracowałyby w zakresie długofalowej podczerwieni i podwyższonych temperaturach. Niezbędne są zatem dalsze badania w tym kierunku.
W ramach projektu opracowana i zoptymalizowana została technologia supersieci mająca na celu uzyskanie jak najlepszych materiałów i struktur przeznaczonych do wykrywania podczerwieni we wspomnianych warunkach. Wykorzystane zostaną zarówno techniki eksperymentalne, jak i zaawansowane symulacje.
Projekt współfinansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach programu TECHMATSTRATEG.
Technologie materiałów półprzewodnikowych dla elektroniki dużych mocy i wysokich częstotliwości (WIDEPOWER)
- Nr umowy:
- Czas realizacji:
- Koszty całkowite:
- Wysokość dofinansowania:
- Lider:
- Konsorcjanci:
- TECHMATSTRATEG1/346922/NCBR/2017
- 01/12/2017-31/05/2021
- 20,047,169.00 PLN
- 19,700,000.00 PLN
- Politechnika Warszawska
- VIGO Photonics S.A., Politechnika Wrocławska, Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
- Nr umowy: TECHMATSTRATEG1/346922/NCBR/2017
- Czas realizacji: 01/12/2017-31/05/2021
- Koszty całkowite: 20,047,169.00 PLN
- Wysokość dofinansowania: 19,700,000.00 PLN
- Lider: Politechnika Warszawska
- Konsorcjanci: VIGO Photonics S.A., Politechnika Wrocławska, Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
Celem projektu WidePOWER był rozwój technologii produkcji materiałów półprzewodnikowych dla elektroniki dużej mocy i wysokiej częstotliwości, w tym struktur epitaksjalnych opartych na SiC, GaN oraz InGaP-GaAs. W ramach realizacji projektu VIGO Photonics S.A. opracowało technologię wzrostu metodą MOCVD struktur epitaksjalnych opartych o związek InGaP na podłożu GaAs.
Opracowanie technologii wzrostu epi-struktur dla elektroniki dużej mocy i wysokiej częstotliwości w oparciu o związki InGaP-GaAs było wykonane na produkcyjnym urządzeniu AIX 2800 G4 firmy Aixtron. Jednym z kluczowych etapów było zbadanie termicznych warunków wzrostu z punktu widzenia efektu nieuporządkowania struktury (tzw. dis-ordering) oraz optymalizacja szybkości wzrostu, a także utrzymanie powtarzalności składu chemicznego warstw InGaP dopasowanych sieciowo do GaAs. Otrzymane heterostruktury cechują się dużą jednorodnością i wysoką jakością strukturalną i umożliwiają zastosowanie w przyrządach elektroniki mocy.
Odbiorcami wyników projektu są firmy elektroniczne produkujące przede wszystkim produkty elektronowe oraz producenci systemów elektronicznych. Dodatkową korzyścią realizacji projektu jest możliwość wykorzystania jego rezultatów także w produkcji innych struktur epitaksjalnych typu ogniwa słoneczne.
Produkty (struktury oparte na związkach InGaP) opracowane w ramach projektu zostały włączone do standardowej oferty VIGO, obejmującej szerokie spektrum detektorów podczerwieni.
