POIR

Opis projektu:

Celem projektu było opracowanie i wprowadzenie na rynek nowego masowego produktu będącym zminiaturyzowanym wysokotemperaturowym sensorem InGaAs na zakres 1.7–2.6 µm dla nowoczesnej elektroniki użytkowej zintegrowanego z dedykowanym układem scalonym ASIC, który podniesie konkurencyjność firmy VIGO.

W ramach realizacji celu projektu opracowaliśmy i wdrożyliśmy technologię umożliwiającą pokonanie bariery rozmiaru i ceny w aplikacji detektora InGaAs we współczesnej fotonice i elektronice użytkowej poprzez wykonanie miniaturowej elektroniki scalonej ASIC, umożliwiającej odczyt danych z materiału InGaAs. W trakcie prac opracowano technologię produkcji struktur epitaksjalnych InGaAs w zakresie 1.7-2.6µm na podłożach o dużej średnicy 4″ i 6″, przy wykorzystaniu reaktora produkcyjnego MOCVD AIXTRON 2800 G4 oraz ich processing z wykorzystaniem nowych urządzeń do automatycznej segregacji, kontroli oraz montażu struktur w docelowych obudowach SMD. Przy udziale podwykonawcy opracowano układ scalony ASIC służący do odczytu i wzmocnienia sygnału z detektora InGaAs. W wyniku realizacji projektu zmieniony został sposób organizacji produkcji w firmie VIGO, który uległ w znaczący sposób modernizacji i ulepszeniu umożliwiając produkcję masowego produktu, spełniającego podstawowe wymagania stawiane aktualnie nowoczesnej elektronice użytkowej w tym projektowanym urządzeniom typu PIC (Photonic Integrated Circuit). 

Produkt nie ma obecnie bezpośredniej konkurencji na rynku. Odbiorcami produktu mogą być firmy wdrażające nowoczesne, zminiaturyzowane sensory służące detekcji promieniowania podczerwonego lub cząstek/gazów posiadających charakterystyczne linie widmowe z zakresu krótkiej podczerwieni. Produkt ten ma zastosowanie:

•  u producentów wykorzystujących/planujących wykorzystać zakres 1.7-2.6 µm w produkcji nowoczesnej elektroniki użytkowej;
• w przemyśle 4.0 w linii produkcyjnej;
•  jako element skomplikowanych układów diagnostycznych (spektroskopii) w przemyśle medycznym, spożywczym oraz urządzeniach przenośnych służących do detekcji w zakresie 1.7-2.6 µm.

Ciągle dominującym materiałem stosowanym do konstrukcji wysokotemperaturowych detektorów podczerwieni jest HgCdTe. Niemniej jednak, obecnie obowiązująca dyrektywa Unii Europejskiej wymusza wyeliminowanie związków rtęci w produkcji przemysłowej. Nie jest ona jednak w pełni egzekwowana ze względu na dominującą pozycję HgCdTe jako materiału strategicznego do produkcji detektorów podczerwieni, jak również ze względu na brak materiału alternatywnego. Ostatnie badania demonstrują, że InAsSb jest materiałem o parametrach porównywalnych do HgCdTe, jednocześnie bardziej stabilnym technologicznie. Detektory z InAsSb będzie można stosować tam, gdzie konieczne jest zapewnienie m.in. wyższej odporności na trudne warunki eksploatacyjne i wysokiej jednorodności parametrów detektorów wieloelementowych.

Biorąc powyższe pod uwagę, głównym celem projektu było poznanie zjawisk fotoelektrycznych towarzyszących detekcji promieniowania w strukturach z InAsSb otrzymywanych metodą MBE oraz przeprowadzenie prac badawczych w zakresie określenia konstrukcji i opracowania technologii wytwarzania na ich bazie immersyjnych detektorów średniofalowego promieniowania podczerwonego osiągających wykrywalność bliską fundamentalnych granic oraz charakteryzujących niezawodnością i odpornością na narażenia środowiskowe.

Projekt ten został współfinansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju.

Przedmiotem projektu było opracowanie technologii wytwarzania niechłodzonych i minimalnie chłodzonych (300-190K) heterostrukturalnych detektorów HgCdTe, optymalizowanych na każdą długość fali w zakresie 2-16 μm, o wysokiej niezawodności i odporności na narażenia środowiskowe. Nowe produkty bazują zarówno na detektorach wcześniej produkowanych, do których wprowadzono znaczne ulepszenia jak i na całkowicie nowych konstrukcjach, takich jak 32 elementowa linijka detektorów i 12 elementowa linijka detektorów dwubarwnych. Do detektorów opracowane zostały niezawodne i odporne na narażenia środowiskowe przedwzmacniacze i elektronika towarzysząca. Umożliwiło to opracowanie kompletnych układów detektora z przedwzmacniaczem i sterownikiem termochłodziarki – tak zwanych modułów detekcyjnych, o wysokiej niezawodności i odporności na narażenia środowiskowe. Opracowane detektory i moduły są orientowane na spełnienie odpowiednich norm dla produktów optoelektronicznych dla zastosowań krytycznych, opracowane w USA i EU (MIL, NASA i ESA).

Projekt został współfinansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju.

W październiku 2016 spółka VIGO Photonics S.A. podpisała umowę, w wyniku której otrzymała dofinansowanie – Kredyt na innowacje technologiczne Programu Operacyjnego Inteligentny Rozwój (POIR), współfinansowanego ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego. 

Inwestycja została zlokalizowana w województwie Mazowieckim na terenie Parku Przemysłowego Tarnobrzeskiej Specjalnej Strefie Ekonomicznej Euro – Park WISŁOSAN. 

Dofinansowany projekt pt.: “Nowa generacja hermetyzowanych miniaturowych modułów detekcyjnych z szerokopasmową elektroniką “, dotyczył wdrożenia produkcyjnego własnej, nowej technologii opracowanej w VIGO poprzez inwestycję technologiczną oraz uruchomienie produkcji nowej generacji modułów detekcyjnych z szerokopasmową elektroniką w hermetyzowanych, miniaturowych obudowach, które są innowacyjnymi produktami na rynku światowym. Wsparcie finansowe z funduszy UE na wdrożenie do produkcji nowej technologii podniosło konkurencyjność i innowacyjność VIGO. Technologia ta stanowi wartość niematerialną i prawną firmy i powstała w wyniku przeprowadzenia projektu badawczego pt: “Integracja detektorów podczerwieni chłodzonych termoelektrycznie lub pracujących w temperaturze otoczenia z szerokopasmowym układem odbiorczym” w konsorcjum naukowo-przemysłowym. Wprowadzenie zminiaturyzowanych, uniwersalnych łatwiejszych w obsłudze modułów tak jedno – jak i wieloelementowych miało charakter innowacji przełomowej. 

Projekt został współfinansowany przez Bank Gospodarstwa Krajowego.

Celem projektu było opracowanie i wdrożenie znacząco ulepszonej, innowacyjnej technologii klejenia elementów czujników podczerwieni: szybki (okna) do obudowy oraz obudowy do podstawy czujnika. Do tej pory operacje te były wykonywane ręcznie na stanowiskach wyposażonych w mikroskopy, które ułatwiały uzyskanie wymaganej precyzji. Nowa, znacząco ulepszona technologia obejmowała automatyzację precyzyjnego podawania detali klejonych i nakładania kleju oraz kontrolę pozycji detali za pomocą systemu wizyjnego. W ramach projektu został zbudowany i przebadany, najpierw w warunkach laboratoryjnych, a następnie rzeczywistych, demonstrator realizujący opracowaną technologię. Zostało w nim wprowadzone rozwiązania zapewniające spełnienie wymagań UE dot. BHP zawarte w Dyrektywie Maszynowej.

Projekt został współfinansowany przez Polską Agencją Rozwoju Przedsiębiorczości.

Celem projektu było opracowania znacząco ulepszonej, innowacyjnej technologii wytwarzania kontaktów elektrycznych i wdrożenia jej jako etapu produkcji detektorów podczerwieni, bazujących na diodowych strukturach półprzewodnikowych z pierwiastków grupy A(lll)B(V) z absorberem lnAsSb. Istniejąca dotychczas technologia opracowana została dla HgCdTe i jest mocno ograniczona ze względu na niską stabilność termiczną tego materiału. Finalnym rezultatem całego projektu, po wdrożeniu tej technologii do działalności gospodarczej zostało wprowadzenie na rynek rodziny detektorów podczerwieni bazujących na strukturach półprzewodnikowych z pierwiastków grupy A(lll)B(V) o parametrach konkurujących z HgCdTe.

Projekt został współfinansowany przez Polską Agencją Rozwoju Przedsiębiorczości.

W lipcu 2019 spółka VIGO Photonics S.A. podpisała umowę, w wyniku której otrzymała dofinansowanie – Kredyt na innowacje technologiczne Programu Operacyjnego Inteligentny Rozwój (POIR), współfinansowanego ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego.

Inwestycja została zlokalizowana w województwie mazowieckim na terenie Parku Przemysłowego Tarnobrzeskiej Specjalnej Strefie Ekonomicznej Euro – Park WISŁOSAN.

Dofinansowany projekt pt.: „Wdrożenie opracowanej w ramach projektu “Narażenia” technologii produkcji chipów detekcyjnych” dotyczył wdrożenia produkcyjnego własnej, nowej technologii opracowanej w VIGO poprzez inwestycję technologiczną oraz uruchomienie produkcji nowych i znacząco ulepszonych detektorów podczerwieni i modułów detekcyjnych pracujących bez chłodzenia kriogenicznego o zwiększonej niezawodności i odporności na narażenia środowiskowe. Wyżej wymienione produkty są nowe na rynku światowym, a wdrażana technologia produkcji chipów detekcyjnych ma charakter technologii przełomowej.

W celu wdrożenia technologii chipów detekcyjnych konieczne były inwestycje związane z procesem wzrostu i obróbki struktur detekcyjnych, w tym zakup wyposażenia laboratorium epitaksji oraz processingu. Niezbędna była także poprawa standardów w zakresie czystości, kontroli temperatury i wilgotności (tzw. clean-room) przy odpowiednich zabezpieczeniach przed zagrożeniami chemicznymi.

Wsparcie finansowe z funduszy UE na wdrożenie do produkcji nowej technologii podniosło konkurencyjność i innowacyjność VIGO. 

Projekt został współfinansowany przez Bank Gospodarstwa Krajowego. 

Opis projektu:

Głównym celem projektu było opracowanie matrycy na zakres podczerwieni 2-5 μm dla zastosowań kosmicznych. Celem dodatkowym było opracowanie zestawu pomiarowego do charakteryzacji typowych matryc, modułów oraz kamer podczerwieni o średniej rozdzielczości obrazu.

Proponowana w projekcie matryca na zakres podczerwieni wykonana z zaawansowanego technologicznie materiału – supersieci II rodzaju typu InAs/InAsSb jest produktem nowym i całkowicie innowacyjnym w skali polskiego rynku. Matryca jest również produktem innowacyjnym w skali światowej zastępując istniejące na rynku matryce z antymonku indu InSb.

Projekt współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Inteligentny Rozwój. Projekt realizowany w ramach konkursu Narodowego Centrum Badań i Rozwoju: Szybka ścieżka.